PRODUK
Fungsi
No. CAS: | 22398-80-7 |
Formula Linear: | Dalam p |
Kesucian: | 99.99 peratus |
Penampilan: | Kristal |
Penerangan Indium Phosphide
Indium phosphide (InP) ialah semikonduktor binari yang terdiri daripada indium dan fosforus. Ia mempunyai struktur hablur kubik ("zincblende") berpusat muka, sama dengan GaAs dan kebanyakan semikonduktor III-V.
InP boleh disediakan daripada tindak balas fosforus putih dan indium iodida pada 400 darjah, juga dengan gabungan langsung unsur-unsur yang telah disucikan pada suhu dan tekanan tinggi, atau melalui penguraian terma campuran sebatian trialkil indium dan fosfin.
InP digunakan dalam elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi kerana halaju elektronnya yang unggul berkenaan dengan semikonduktor silikon dan galium arsenida yang lebih biasa. Ia mempunyai celah jalur langsung, menjadikannya berguna untuk peranti optoelektronik seperti diod laser. InP juga digunakan sebagai substrat untuk peranti optoelektronik berdasarkan epitaxial indium gallium arsenide.
Aplikasi Indium Phosphide dan Industri Berkaitan
● Komponen optoelektronik
● Elektronik berkelajuan tinggi
● Fotovoltaik
● Seramik
● Tenaga Suria
● Penyelidikan & Makmal
Pengecam Bahan Kimia
Formula Linear | Dalam p |
Nombor MDL | MFCD00016153 |
SPR No. | 244-959-5 |
Beilstein/Reaxys No. | N/A |
Pubchem CID | 31170 |
Nama IUPAC | indiganylidynephosphane |
TERSENYUM | [Dalam p |
Pengecam InchI | InChI=1S/In.P |
Kunci Inci | GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N |
Sifat Indium Phosphide (Teori)
Formula Kompaun | Dalam p |
Berat Molekul | 145.79 |
Penampilan | Kristal |
Takat lebur | 1062 darjah |
Takat didih | N/A |
Ketumpatan | 4.487-4.81 g/sm3 |
Keterlarutan dalam H2O | N/A |
Misa tepat | 145.87764 |
Jisim Monoisotop | 145.87764 |
Cool tags: indium phosphide, China, pembekal, beli, untuk dijual, dibuat di China
Anda mungkin juga berminat
Hantar pertanyaan
